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锑化物量子阱短波红外单模大功率激光器 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  黄书山
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tongay, S;  Sahin, H;  Ko, C;  Luce, A;  Fan, W;  Liu, K;  Zhou, J;  Huang, YS;  Ho, CH;  Yan, JY;  Ogletree, DF;  Aloni, S;  Ji, J;  Li, SS;  Li, JB;  Peeters, FM;  Wu, JQ
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhan, F;  Wang, HL;  He, JF;  Wang, J;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Niu, ZC
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：781/233  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhan F;  Wang HL;  He JF;  Wang JA;  Huang SS;  Ni HQ;  Niu ZC;  Zhan, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. zhf@semi.ac.cn
Adobe PDF(1966Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1251/276  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong M (Gong Ming);  Chen G (Chen Geng);  He LX (He Lixin);  Li CF (Li Chuan-Feng);  Tang JS (Tang Jian-Shun);  Sun FW (Sun Fang-Wen);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Huang SS (Huang She-Song);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Guo GC (Guo Guang-Can);  Gong, M, Univ Sci & Technol China, CAS, Key Lab Quantum Informat, Hefei 230026, Peoples R China. 电子邮箱地址: helx@ustc.edu.cn;  cfli@ustc.edu.cn
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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