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低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  林孟喆;  曹青;  颜庭静;  陈良惠
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兼容测距的高速CMOS图像传感器像素单元及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  陈哲;  吴南健;  底衫;  曹中祥
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兼容测距的CMOS图像传感器像素单元及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  陈哲;  吴南健;  底衫;  曹中祥
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