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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2009 [1]
2000 [1]
1998 [3]
语种
英语 [5]
出处
REVISTA ME... [2]
NITRIDE SE... [1]
THIN SOLID... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [4]
CPCI(ISTP) [1]
资助机构
Chinese Va... [1]
Mat Res So... [1]
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Reconfigurable Optical Add-Drop Multiplexer Based on Silicon Photonic Wire Waveguide
会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, 2009
作者:
Geng MM (Geng Minming)
;
Jia LX (Jia Lianxi)
;
Zhang L (Zhang Lei)
;
Yang L (Yang Lin)
;
Chen P (Chen Ping)
;
Wang T (Wang Tong)
;
Liu YL (Liu Yuliang)
;
Geng, MM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Syst Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2270/516
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提交时间:2010/06/04
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
;
Sun XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(206Kb)
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浏览/下载:1665/311
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提交时间:2010/11/15
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Cubic Gan
Hexagonal Phase Content
4-circle X-ray Double Crystal Diffraction
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Thin-films
Silicon
Gaas
The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process
会议论文
NITRIDE SEMICONDUCTORS, 482, BOSTON, MA, DEC 01-05, 1997
作者:
Zheng LX
;
Liang JW
;
Yang H
;
Li JB
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Li XF
;
Duan LH
;
Hu XW
;
Zheng LX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1047/211
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提交时间:2010/10/29
Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials
会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico. 电子邮箱地址: lfzou@ags.ciateq.mx
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浏览/下载:1240/187
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提交时间:2010/11/15
Strain Relaxation
Heterostructures
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico.
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浏览/下载:1431/219
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提交时间:2010/11/15
Electrical-properties
Ion-implantation
Regrowth
Silicon
Layers