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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人:  郑婉华;  刘安金;  任 刚;  邢名欣;  渠宏伟;  陈良惠 
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采用非平面工艺制备硅线波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  安俊明;  吴远大;  李建光;  李俊一;  胡雄伟
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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
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一种二极管激光泵浦头 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘媛媛;  方高瞻;  李伟;  马骁宇
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一种对列阵器件进行老化筛选的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘媛媛;  李伟;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH (Zhu Ning Hua);  Zhang HG (Zhang Hong Guang);  Man JW (Man Jiang Wei);  Zhu HL (Zhu Hong Liang);  Ke JH (Ke Jian Hong);  Liu Y (Liu Yu);  Wang X (Wang Xin);  Yuan HQ (Yuan Hai Qing);  Xie L (Xie Liang);  Wang W (Wang Wei);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K (Ding, K.);  Zeng YP (Zeng, Y. P.);  Wei XC (Wei, X. C.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Wang JX (Wang, J. X.);  Lu HX (Lu, H. X.);  Cong PP (Cong, P. P.);  Yi XY (Yi, X. Y.);  Wang GH (Wang, G. H.);  Li JM (Li, J. M.);  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯玮;  林学春;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈微;  邢名欣;  任刚;  王科;  杜晓宇;  张冶金;  郑婉华
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