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Al(Ga)N材料光致发光性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  王维颖
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Algan  深紫外光致发光  高温热退火  Gan/algan量子阱  界面粗糙  偏振特性  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv XQ;  Jin P;  Wang WY;  Wang ZG;  Lv, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  毛德丰;  李维;  王维颖;  金鹏;  王占国
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高In组分AlInN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  李维;  毛德丰;  王维颖;  金鹏;  王占国
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提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  王维颖;  毛德丰;  李维;  金鹏;  王占国
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