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| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1779/279  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1750/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 发明人: 张连; 曾建平; 魏同波; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:855/91  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种可调控能带的LED量子阱结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11 发明人: 张连; 曾建平; 路红喜; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(957Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:774/70  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1305/98  |  提交时间:2014/11/05 |
| 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 谢海忠; 张连; 宋昌斌; 姚然; 薛斌; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:952/104  |  提交时间:2014/11/05 |
| 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014 发明人: 冯向旭; 张宁; 刘乃鑫; 付丙磊; 朱绍歆; 张连; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1300/133  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种测量LED内量子效率的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:812/121  |  提交时间:2014/11/05 |
| 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25 发明人: 姬小利; 闫建昌; 郭金霞; 张连; 杨富华; 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:785/81  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种多芯片LED封装体的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28 发明人: 张连; 谢海忠; 杨华; 李璟; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(490Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:665/94  |  提交时间:2014/11/24 |