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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
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氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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模式识别专用神经网络计算机系统及应用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王守觉;  李卫军;  赵顾良;  孙华
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电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡小华;  李宝霞;  朱洪亮;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, GF;  Li, SS;  Liang, JQ;  Zhang, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang2001@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang GF;  Li SS;  Liang HQ;  Zhang, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang2001@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, LK;  Xu, B;  Wang, ZG;  Jin, P;  Zhao, C;  Lei, W;  Sun, J;  Li, K;  Hu, LJ;  Liang, LY;  Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, XQ;  Wang, YL;  Li, L;  Liang, L;  Liu, FQ;  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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