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| 对激发光源无稳定性要求的光激发荧光谱系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 4013 发明人: 谭平恒 ; 张俊; 赵建华; 姬扬; 赵伟杰
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| 一种近红外单光子探测器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998 发明人: 曹延名; 吴 孟; 杨富华
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| 共振隧穿二极管D触发器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-10, 公开日期: 3997 发明人: 杜 睿; 杨富华
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| 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张杨; 刘剑 ; 李艳 ; 杨富华
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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华
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| GaN基LED新型透明电极的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 杨华![](/image/person.jpg)
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang LQ; Jiang DS ; Zhu JJ ; Zhao DG ; Liu ZS; Zhang SM ; Yang H; Zhang LQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lqzhang@semi.ac.cn; hyang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao DG ; Jiang DS ; Zhu JJ ; Guo X ; Liu ZS; Zhang SM ; Wang YT ; Yang H; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 杨威; 姬扬; 罗海辉; 阮学忠; 王玮竹; 赵建华
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang LQ; Zhang SM ; Jiang DS ; Wang H; Zhu JJ ; Zhao DG ; Liu ZS; Yang H; Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: lqzhang@semi.ac.cn; hyang@red.semi.ac.cn
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