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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005 发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(592Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1486/236  |  提交时间:2010/03/19 |
| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1683/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1575/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1520/172  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高永亮; 惠峰; 王文军 Adobe PDF(287Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1296/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高永亮; 惠峰; 王文军 Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1255/192  |  提交时间:2009/06/11 |
| 直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果 2007 主要完成人: 李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方 收藏  |  浏览/下载:2281/0  |  提交时间:2010/04/13 六英寸半绝缘砷化镓单晶 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xu Y (Xu Ying); Diao HW (Diao Hong-Wei); Zhang SB (Zhang Shi-Bin); Li XD (Li Xu-Dong); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Wang WJ (Wang Wen-Jing); Liao XB (Liao Xian-Bo); Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1048/310  |  提交时间:2010/03/29 |
| III-V-N 半导体材料光学性质的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007 作者: 王文杰 Adobe PDF(7463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1002/29  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 许颖; 刁宏伟; 张世斌; 励旭东; 曾湘波; 王文静; 廖显伯 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:995/261  |  提交时间:2010/11/23 |