Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构 | |
| 郑婉华; 陈 微; 邢名欣; 任 刚; 周文君; 刘安金; 陈良惠 | |
| 2009-08-05 | |
| 专利权人 | 中科院半导体研究所 |
| 公开日期 | 4003 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2008-01-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200810057180 |
| 专利代理人 | 汤宝平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9004 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,陈 微,邢名欣,等. 高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构[P]. 2009-08-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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