一种制备稀磁半导体薄膜的方法
姜丽娟
2009-07-01
专利权人中科院半导体研究所
公开日期 
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2007-12-26
语种中文
专利状态公开
申请号CN200710304215
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/8970
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
姜丽娟. 一种制备稀磁半导体薄膜的方法[P]. 2009-07-01.
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