| 基于带电氧空位漂移的HfO2基薄膜负电容机理 | |
| 董昊 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 2023-05-26 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学位名称 | 工程硕士 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31620 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董昊. 基于带电氧空位漂移的HfO2基薄膜负电容机理[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2023. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| GK2023058-硕士-材料重点-董昊（5752KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [董昊]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [董昊]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [董昊]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论