SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
高介电常数氧化物中缺陷与掺杂的第一性原理研究
刘竹友
学位类型博士
2023-05-23
学位授予单位中国科学院大学
学位授予地点中国科学院半导体研究所
学位名称理学博士
语种中文
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31578
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
刘竹友. 高介电常数氧化物中缺陷与掺杂的第一性原理研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2023.
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