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| 基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为 | |
| 余之峰 | |
| Subtype | 博士后 |
| 2021-10 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 中国科学院半导体研究所 |
| Language | 中文 |
| Date Available | 2021-10 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30553 |
| Collection | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 余之峰. 基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2021. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 2022001-公开-博士后-超晶格-余（2817KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
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