SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
III-V族窄禁带半导体自旋电子学器件的材料与物理研究
童树成
学位类型博士
2020-07
学位授予单位中国科学院大学
学位授予地点中国科学院半导体研究所
语种中文
公开日期2020-07
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29931
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
童树成. III-V族窄禁带半导体自旋电子学器件的材料与物理研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2020.
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2020126-公开-童树成-博士-II(31078KB)学位论文 限制开放CC BY-NC-SA请求全文
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