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| 中红外GaSb基窄线宽激光器制备的研究 | |
| 罗皓 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 牛智川 |
| 2018-05-24 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子及固体物理学 |
| 关键词 | 锑化镓 量子阱 单模激光器 Dbr光栅 纳米压印 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2018-05-29 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28386 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗皓. 中红外GaSb基窄线宽激光器制备的研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2018. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 新20180528.pdf（2623KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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