| GaN基HEMT器件材料的生长技术研究 | |
| 吉泽生 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 汪连山 |
| 2017-05-26 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 材料工程 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28151 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉泽生. GaN基HEMT器件材料的生长技术研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2017. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| GaN基HEMT器件材料的生长技术研究.（2900KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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