二维光栅双波长DFB激光器的制作方法
韩良顺; 梁松; 许俊杰; 乔丽君; 朱洪亮
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-29
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2015-05-25
申请号CN201510270769.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27646
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
韩良顺,梁松,许俊杰,等. 二维光栅双波长DFB激光器的制作方法.
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二维光栅双波长DFB激光器的制作方法.p(892KB) 限制开放使用许可请求全文
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