| 基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法 | |
| 许兴胜; 黄昕楠; 高永浩; 黎星云 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 申请日期 | 2015-02-13 |
| 申请号 | CN201510079793.5 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27587 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许兴胜,黄昕楠,高永浩,等. 基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法. |
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