SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法
鲁军; 肖嘉星; 赵建华
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2015-06-19
申请号CN201510346075.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27540
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
鲁军,肖嘉星,赵建华. 一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法.
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一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备(1512KB) 限制开放使用许可请求全文
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