| 具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法 | |
| 刘智; 成步文; 何超; 李传波; 薛春来; 王启明 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 申请日期 | 2015-07-07 |
| 申请号 | CN201510394479.6 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27500 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘智,成步文,何超,等. 具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测（790KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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