| 一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法 | |
| 刘兴昉; 刘斌; 闫果果; 刘胜北; 王雷; 赵万顺; 张峰; 孙国胜; 曾一平 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-22 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2015-08-11 |
| Application Number | CN201510490653.7 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27482 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘兴昉,刘斌,闫果果,等. 一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法.pd（1538KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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