| 采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构及制备方法 | |
| 卢树弟; 曲胜春; 刘孔; 池丹; 李彦沛; 寇艳蕾; 岳世忠; 王占国 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2015-05-25 |
| 申请号 | CN201510270129.9 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27475 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢树弟,曲胜春,刘孔,等. 采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构及制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构及（473KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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