| 一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法 | |
| 张连; 张韵; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2014-09-26 |
| Application Number | CN201410505205.5 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27307 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张连,张韵,闫建昌,等. 一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HE（569KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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