SEMI OpenIR  > 光电子器件国家工程中心
大功率低阈值基横模975nm半导体激光器管芯
董振; 王翠鸾; 刘素平; 马骁宇
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2014-12-11
申请号CN201410764061.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27263
专题光电子器件国家工程中心
推荐引用方式
GB/T 7714
董振,王翠鸾,刘素平,等. 大功率低阈值基横模975nm半导体激光器管芯.
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大功率低阈值基横模975nm半导体激光器(414KB) 限制开放使用许可请求全文
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