SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
传感芯片及其制备方法
陈弘达; 袁浚; 解意洋; 阚强; 耿照新
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-12-24
申请号CN201410822223.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27250
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
陈弘达,袁浚,解意洋,等. 传感芯片及其制备方法.
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