SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
在衬底上制备多级台阶的方法
杨健; 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 梁秀琴; 王晓东; 杨富华
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2014-12-02
申请号CN201410720797.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27232
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杨健,司朝伟,韩国威,等. 在衬底上制备多级台阶的方法.
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在衬底上制备多级台阶的方法.pdf(305KB) 限制开放使用许可请求全文
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