| 长波红外InGaAs/InAlAs量子级联发光及探测器件的研究 | |
| 任飞 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 王占国院士 ; 刘峰奇研究员 ; 刘舒曼研究员 |
| 2016-05-27 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 关键词 | 长波红外 双波长 量子级联探测器 斜跃迁 微带 响应率 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2016-06-03 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27194 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任飞. 长波红外InGaAs/InAlAs量子级联发光及探测器件的研究[D]. 北京. 中国科学院大学,2016. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 博士毕业论文-任飞.pdf（5121KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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