| InGaN 多量子阱材料生长及太阳能电池器件研究 | |
| 杨 静 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 赵德刚 |
| 2015-05 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子与固体电子学 |
| Date Available | 2015-06-02 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26545 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨 静. InGaN 多量子阱材料生长及太阳能电池器件研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
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| InGaN 多量子阱材料生长及太阳能电池（4577KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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