| GaAs基量子阱结构中的自旋极化输运研究 | |
| 朱来攀 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 陈涌海 |
| 2015-05-25 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 学科领域 | 半导体物理 ; 半导体材料 |
| 公开日期 | 2015-05-29 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26504 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱来攀. GaAs基量子阱结构中的自旋极化输运研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 朱来攀博士论文-2015中科院半导体所.（10962KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [朱来攀]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [朱来攀]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [朱来攀]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论