SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法
黄北举; 张赞; 张赞允; 陈弘达
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-07-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-05-08
申请号CN201410192668.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25931
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
黄北举,张赞,张赞允,等. 采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法.
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采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法.(358KB) 限制开放使用许可请求全文
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