用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 | |
冉军学; 胡强; 胡国新; 梁勇; 熊衍凯; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-05-01 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体器件 |
Application Date | 2013-01-10 |
Application Number | CN201310010357.3 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25851 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 冉军学,胡强,胡国新,等. 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置. |
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用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气(363KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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