| 用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法 | |
| 刘媛媛; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-06-19 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Application Date | 2013-03-22 |
| Application Number | CN201310093472.1 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25825 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘媛媛,杨富华. 用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制（311KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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