| 金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法 | |
| 隋少帅; 唐明英; 杨跃德; 肖金龙; 杜云; 黄永箴 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2014-06-25 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Application Date | 2014-03-13 |
| Application Number | CN201410093103.7 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25751 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 隋少帅,唐明英,杨跃德,等. 金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法.（952KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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