| 表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法 | |
| 陈弘达; 王真真; 解意洋; 耿照新 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2014-08-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 申请日期 | 2014-04-21 |
| 申请号 | CN201410164442.X |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25704 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈弘达,王真真,解意洋,等. 表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及（431KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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