| 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 | |
| 冯向旭; 张宁; 刘乃鑫; 付丙磊; 朱绍歆; 张连; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2014 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2013-09-09 |
| Application Number | CN201310407479.6 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25653 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 冯向旭,张宁,刘乃鑫,等. 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方（231KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment