| 在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法 | |
| 赵云; 王刚; 孙连峰; 魏同波; 段瑞飞; 伊晓燕; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2014 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2013-09-17 |
| Application Number | CN201310424531.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25649 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 赵云,王刚,孙连峰,等. 在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法.pd（404KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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