| 非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法 | |
| 李浩; 曾湘波; 谢小兵; 杨萍; 李敬彦; 张晓东; 王启明 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-08-21 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Application Date | 2013-05-02 |
| Application Number | CN201310157617.X |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25627 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李浩,曾湘波,谢小兵,等. 非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结（402KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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