一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 | |
曾建平; 闫建昌; 王军喜; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 李晋闽 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-07-10 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体器件 |
Application Date | 2013-04-07 |
Application Number | CN201310118141.9 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25583 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 曾建平,闫建昌,王军喜,等. 一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法. |
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一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管(1057KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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