| InGaN太阳能电池及其制作方法 | |
| 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-12-19 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Application Date | 2012-08-31 |
| Application Number | CN201210319268.2 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25411 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李亮,赵德刚,江德生,等. InGaN太阳能电池及其制作方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| InGaN太阳能电池及其制作方法.pdf（439KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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