| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 | |
| 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 彭恩超; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-12-26 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2012-09-18 |
| Application Number | CN201210348006.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25410 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓亮,王翠梅,肖红领,等. 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构（568KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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