SEMI OpenIR  > 全固态光源实验室
制备耐磨耐腐蚀杆件的方法
赵树森; 林学春; 周春阳; 高文焱; 王奕博; 刘发兰
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-04-02
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-12-27
申请号CN201310741336.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25398
专题全固态光源实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
赵树森,林学春,周春阳,等. 制备耐磨耐腐蚀杆件的方法.
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