基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器
张冶金; 王海玲; 渠红伟; 马绍栋; 郑婉华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-01-02
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-09-19
申请号CN201210350017.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25334
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
张冶金,王海玲,渠红伟,等. 基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激(857KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[张冶金]的文章
[王海玲]的文章
[渠红伟]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[张冶金]的文章
[王海玲]的文章
[渠红伟]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[张冶金]的文章
[王海玲]的文章
[渠红伟]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。