利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法 | |
汪炼成; 马骏; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-10-03 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体器件 |
Application Date | 2012-06-19 |
Application Number | CN201210208501.X |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25332 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 汪炼成,马骏,刘志强,等. 利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法. |
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利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外(622KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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