SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
连续加压装置
武雪飞; 丁琨; 窦秀明; 孙宝权
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-01-09
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2012-09-10
申请号CN201210332942.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25325
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
武雪飞,丁琨,窦秀明,等. 连续加压装置.
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