| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 | |
| 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-08-15 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2012-04-25 |
| Application Number | CN201210124792.4 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25297 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李盼盼,李鸿渐,张逸韵,等. 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种无间断生长高质量InGaN_GaN多（565KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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