SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
非晶硅中间带太阳能电池及其制备方法
周天微; 曹权; 左玉华; 王启明
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-01-23
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2012-09-29
申请号CN201210375872.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25260
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
周天微,曹权,左玉华,等. 非晶硅中间带太阳能电池及其制备方法.
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