基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 | |
张冶金; 渠红伟; 王海玲; 马绍栋; 郑婉华 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-09-19 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2012-05-30 |
Application Number | CN201210174309.3 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25242 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张冶金,渠红伟,王海玲,等. 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单(609KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment