渐变半径光子晶体发光二极管制备方法 | |
许兴胜; 王华勇; 高永浩 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2013-02-13 ; 2013-02-13 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
学科领域 | 光电子学 |
申请日期 | 2012-11-19 |
申请号 | CN201210467085.5 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25197 |
专题 | 光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 许兴胜,王华勇,高永浩. 渐变半径光子晶体发光二极管制备方法. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
渐变半径光子晶体发光二极管制备方法.pd(366KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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