| 高效 GaN 基阵列式高压 LED 器件的研究 | |
| 詹腾 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 王国宏 ; 伊晓燕 ; 李璟 |
| 2013 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-06-24 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24242 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 詹腾. 高效 GaN 基阵列式高压 LED 器件的研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2013. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 詹腾-硕士.pdf（4441KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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